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ASDM60N30KQ-R
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 雪崩电压和电流特性完全表征。 高抗雪崩能量，稳定性和均匀性良好。 出色的封装，散热性能好。 特殊工艺技术，具备高静电放电能力。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM60N30KQ-R
- 商品编号
- C2972868
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.474克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.562nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66.8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 采用高密度单元设计，降低导通电阻（Rdson）
- 全面表征雪崩电压和电流
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装，散热性能优异
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源