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ASDM100N15KQ-R
100V,15A N沟道 MOSFET
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- 描述
- 特性：100V，15A。 RDS(ON) = 95mΩ (Typ.) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 100mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V。 低总栅极电荷。 低反向传输电容。 改善的dv/dt能力。应用：不间断电源(UPS)。 逆变器系统
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM100N15KQ-R
- 商品编号
- C2972865
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 932pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 100V、15A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 95 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 100 mΩ(典型值)
- 总栅极电荷低
- 反向传输电容低
- 改善了dv/dt能力
- 开关速度快
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 逆变器系统