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ASDM60P12KQ-R
P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）。 雪崩电压和电流完全表征。 出色的封装，具有良好的散热性能。应用：负载开关PWM应用
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM60P12KQ-R
- 商品编号
- C2972864
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 968pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
- 100% 保证通过 EAS 测试
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 全面表征雪崩电压和电流
- 封装散热性能出色
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制(PWM)应用