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ASDM40DN20E-R
耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- Trench Power LV MOSFET 技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻 RDS(Ω)
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM40DN20E-R
- 商品编号
- C2972863
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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