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ASDM30N120KQ-R
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 特性：增强模式。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5V。 快速开关。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM30N120KQ-R
- 商品编号
- C2972858
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.921nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 416pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品概述
该器件是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）的STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FOM）在同类产品中名列前茅。
商品特性
- 极低的开关栅极电荷
- 极低的热阻
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
- 2.5 V栅极驱动
- 极低阈值器件
应用领域
- 开关应用