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ASDM540G-R
1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现更低的导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 高单脉冲雪崩能量下，稳定性和均匀性良好。 出色的封装，实现良好的散热。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM540G-R
- 商品编号
- C2972860
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 7.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低 RDS(on)
商品特性
- 采用高密度单元设计,降低导通电阻(Rdson)
- 全面表征雪崩电压和电流
- 具有高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装,散热性能优异
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源