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ASDM60R042NQ-R
耐压:60V 电流:116A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽MOS技术。 低导通电阻。 100%雪崩测试。 快速开关速度。 良好散热的出色封装。应用：DC/DC转换器。 服务器板载电源
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM60R042NQ-R
- 商品编号
- C2972876
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.281克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 438pF |