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ASDM30N150Q-R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ASDM30N150Q-R

耐压:30V 电流:150A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:高耐用性。 低栅极电荷(典型值143nC)。 改进的dv/dt能力。 100%雪崩测试。应用:同步整流。 锂电池保护板
品牌名称
ASDsemi(安森德)
商品型号
ASDM30N150Q-R
商品编号
C2972857
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)43W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V
栅极电荷量(Qg)143nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)718pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

PD55003L-E是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管,专为高增益宽带商业和工业应用而设计。它在共源极模式下,工作电压为12 V,最高工作频率可达1 GHz。PD55003L-E采用创新的无引脚贴片塑料封装PowerFLAT,搭载了STH1LV最新LD - MOS技术,具备出色的增益、线性度和可靠性。 PD55003L-E卓越的线性性能使其成为汽车移动无线电的理想解决方案。

商品特性

  • 高耐用性
  • 低栅极电荷(典型值143nC)
  • 改善的dv/dt能力
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 同步整流
  • 锂电池保护板
  • 逆变器

数据手册PDF