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ASDM100R045NQ-R
100V N沟道MOSFET,耐压:100V
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 高 EAS 下具有良好的稳定性和均匀性。 出色的封装，利于散热。 针对同步整流进行优化。 低输入电容。应用：汽车应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM100R045NQ-R
- 商品编号
- C2972856
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.191克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性经过全面表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（Eas），稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装，散热性能佳
- 针对同步整流进行优化
- 输入电容低
应用领域
- 汽车应用
- 硬开关和高频电路
- 无刷直流（BLDC）电机驱动应用
- 电池供电电路