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ASDM30N100KQ-R
30V,100A,30V N沟道 MOSFET
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- 描述
- 特性：100% EAS 保证。 有绿色环保器件可选。 超低栅极电荷。 出色的 CdV/dt 效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：锂离子二次电池。 负载开关
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM30N100KQ-R
- 商品编号
- C2972854
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 增强型
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准