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STP16N65M2
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- N沟道650 V、0.32 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP16N65M2
- 商品编号
- C2965309
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 718pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
这款专用功率MOSFET采用独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的第三代技术。由此产生的晶体管在导通电阻和栅极电荷之间实现了最佳平衡。当在降压稳压器中用作高端和低端开关时，它在传导损耗和开关损耗方面均表现出卓越性能。这对于要求快速开关和高效率的主板尤为重要。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用