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STW72N60DM2AG
1个N沟道 耐压:600V 电流:66A
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- 描述
- 汽车级N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW72N60DM2AG
- 商品编号
- C2965224
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.508nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，结合了著名的PowerMESH横向布局结构。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt抗扰度
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用