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STL3N10F7
N沟道,电流:4A,耐压:100V
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- 描述
- N沟道100 V、0.062 Ohm典型值、4 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 2x2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL3N10F7
- 商品编号
- C2965239
- 商品封装
- WDFN-6-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 408pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
该器件采用意法半导体(ST)专有的STripFET技术的第七代设计规则,并配备全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻(RDS(on))。
商品特性
- N沟道增强型
- 低栅极电荷
- 100%雪崩额定
应用领域
- 开关应用