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TD350E

先进的IGBT/MOSFET驱动器

描述
先进的IGBT/MOSFET驱动器
商品型号
TD350E
商品编号
C2965256
商品封装
SO-14​
包装方式
管装
商品毛重
0.288克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)2.3A
拉电流(IOH)1.5A
工作电压12V~26V
上升时间(tr)130ns
属性参数值
下降时间(tf)75ns
传播延迟 tpLH500ns
传播延迟 tpHL450ns
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)5mA
功能特性过流保护

商品概述

TD350E器件是IGBT和功率MOSFET的高级栅极驱动器,包含控制和保护功能,可设计高可靠性系统。创新的有源米勒钳位功能消除了大多数应用中对负栅极驱动的需求,并允许为高端驱动器使用简单的自举电源。该器件包含具有可调电平和延迟的两级关断功能,此功能可在过流或短路情况下防止关断时出现过度过压,两级关断功能中设置的相同延迟在导通时应用,以防止脉冲宽度失真。该器件还包括IGBT去饱和保护和故障状态输出,且兼容脉冲变压器和光耦合器信号。

商品特性

  • 1.5A源/2.3A灌(典型值)栅极驱动
  • 有源米勒钳位功能
  • 具有可调电平和延迟的两级关断
  • 去饱和检测
  • 故障状态输出
  • 负栅极驱动能力
  • 输入兼容脉冲变压器或光耦合器
  • 单独的灌和源输出,便于栅极驱动
  • UVLO保护
  • 2kV ESD保护(HBM)

应用领域

  • 1200V三相逆变器
  • 电机控制
  • UPS系统

数据手册PDF