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STGYA120M65DF2
STGYA120M65DF2
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- 描述
- 650 V、120 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGYA120M65DF2
- 商品编号
- C2965277
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 13.066667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 360A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 420nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 11nF | |
| 输出电容(Coes) | 610pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 250pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 66ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 185ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.41mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 202ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |