M24C04-DRMF3TG/K

车用4Kbit串行I2C总线EEPROM与1MHz时钟

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 汽车级4 Kbit串行I2C总线EEPROM
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M24C04-DRMF3TG/K
商品编号: C2965298
商品封装: WFDFN-8(2x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.02克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能；内置错误纠正码(ECC)功能
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	2mA
	待机电流	20uA
	读取访问时间(tA)	450ns；900ns

商品概述

M24C04-A125是一款4-Kbit串行EEPROM汽车级设备，工作温度最高可达125℃。该设备符合汽车标准AEC-Q100 grade1定义的高可靠性要求。设备通过简单的串行I²C兼容接口访问，接口运行频率最高为1MHz。内存阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦可编程存储器），为字节可更改存储器（512×8位），组织为32页，每页16字节，其数据完整性通过嵌入式纠错码逻辑显著提升。M24C04-A125提供一个额外的识别页（16字节），可读取ST设备标识，也可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

AEC-Q100合格
兼容所有I²C总线模式
支持时钟频率：1MHz、400kHz、100kHz
内存容量：4Kbits（512字节），组织为32页，每页16字节
额外可写锁定识别页（16字节），可永久锁定为只读模式
温度范围：-40℃至125℃；电压范围：1.7V至5.5V
施密特触发器输入用于噪声过滤
写周期时间短：字节写在4ms内，页写在4ms内
写周期耐久性：25℃时400万次，85℃时125万次，125℃时60万次
数据保留：125℃时50年，25℃时100年
ESD保护（人体模型）：4000V
封装：RoHS兼容且无卤素（ECOPACK2®）
写控制（WC）引脚：高电平禁止整个内存阵列的写操作，低电平或浮空允许写操作
串行数据（SDA）为开漏输出，需在SDA与VCC之间连接上拉电阻
芯片使能（E2、E1）引脚：用于设置设备选择码的两位（b3、b2），未连接时默认为低电平
支持I²C协议，在所有通信中始终作为从设备

应用领域

汽车电子设备
车载控制系统
汽车传感器模块
汽车电子存储单元
汽车数据记录设备

（注：应用部分基于设备的汽车级属性及常见EEPROM应用场景补充，确保覆盖核心使用领域）

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	4Kbit
	时钟频率(fc)	1MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次