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L6598D

高压谐振控制器

描述: L6598器件采用BCD Tm离线技术制造，能够确保高达600 V的额定电压，使其非常适合用于AC/DC适配器以及任何采用谐振拓扑结构有益的场合。该器件旨在以经典半桥拓扑结构驱动两个功率MOSFET。一个专用定时部分允许设计人员设置软启动时间、软启动和最小频率。还提供了一个误差放大器以及两个使能输入。此外，集成的自举二极管和低压电源上的齐纳钳位功能，将应用所需的外部元件数量降至最低。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: L6598D
商品编号: C2965304
商品封装: SO-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.298克(g)

商品参数

商品概述

L6598器件采用BCD Tm离线技术制造，能够确保高达600 V的额定电压，使其非常适合用于AC/DC适配器以及任何采用谐振拓扑结构有益的场合。该器件旨在以经典半桥拓扑结构驱动两个功率MOSFET。一个专用定时部分允许设计人员设置软启动时间、软启动和最小频率。还提供了一个误差放大器以及两个使能输入。此外，集成的自举二极管和低压电源上的齐纳钳位功能，将应用所需的外部元件数量降至最低。

商品特性

高达600 V的高压轨
在全温度范围内dV/dt抗扰度为±50 V/ns
驱动电流能力：源电流250 mA，灌电流450 mA
带1 nF负载时，开关时间为上升/下降80/40 ns
CMOS关断输入
欠压锁定
软启动频率偏移定时
用于闭环控制或保护功能的检测运算放大器
高精度电流控制振荡器
集成自举二极管
Vs钳位
提供DIP16和SO16封装

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	属性	参数值
	商品目录	AC-DC控制器和稳压器
	是否隔离	隔离
	工作电压	10V~16.6V
	开关频率	58.2kHz~61.8kHz

	属性	参数值
	最大占空比	50%
	拓扑结构	半桥式
	特性	欠压保护(UVP)；软启动
	工作温度	-40℃~+125℃