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NTBL050N65S3H

1个N沟道耐压:650V 电流:49A

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描述: SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFAST III快速MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTBL050N65S3H
商品编号: C2902059
商品封装: HPSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1.84克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。因此,SUPERFAST III快速MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。TOLL封装采用开尔文源极配置,降低了寄生源极电感,具有更好的热性能和出色的开关性能。TOLL封装的湿度敏感度等级为1级(MSL 1)。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 40 mΩ
超低栅极电荷(典型Qg = 98 nC)
低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 909 pF)
100%雪崩测试
开尔文源极配置和低寄生源极电感
通过MSL1认证
这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

-电信/服务器电源-工业电源-不间断电源/太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	49A
	导通电阻(RDS(on))	50mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	305W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	86nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.88nF
	反向传输电容(Crss)	70pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道