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NTP125N65S3H
1个N沟道 耐压:650V 电流:24A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET 系列有助于缩小各种电源系统的体积并提高系统效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP125N65S3H
- 商品编号
- C2902082
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 171W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@2.1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低QG和电容，以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器、无人机、物料搬运
- 电池管理系统/存储、家庭自动化
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