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NTHL067N65S3H
1个N沟道 耐压:650V 电流:40A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL067N65S3H
- 商品编号
- C2902088
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@3.9mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 交流-直流和直流-直流电源
- 交流-直流适配器（USB PD）同步整流
- 负载开关
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