温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTH4LN095N65S3H

650V, 95mΩ, 30A N沟道 MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTH4LN095N65S3H
商品编号: C2902086
商品封装: TO-247-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.494克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 55 mΩ
超低栅极电荷（典型Qg = 80 nC）
低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 691 pF）
100%雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

电信/服务器电源-工业电源-不间断电源/太阳能

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	30A
	导通电阻(RDS(on))	95mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	-

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@2.8mA
	栅极电荷量(Qg)	58nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.833nF@400V
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道