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NTBGS1D5N06C

N沟道,电流:267A,耐压:60V

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTBGS1D5N06C
商品编号: C2902076
商品封装: TO-263-7
包装方式: 编带
商品毛重: 0.494克(g)

商品参数

商品概述

SVF25NE50PN是一款采用士兰微专有F-Cell结构VDMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

商品特性

25A、500V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.18Ω
低栅极电荷
低Crss
快速开关
改进的dv/dt能力

应用领域

AC-DC电源
DC-DC转换器
H桥PWM电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	267A
	导通电阻(RDS(on))	1.62mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	211W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@318uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	78.6nC@10V
	输入电容(Ciss)	6.25nF
	反向传输电容(Crss)	66pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	3.06nF