NTBGS3D5N06C
N沟道 MOSFET,电流:127A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBGS3D5N06C
- 商品编号
- C2902079
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 127A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@122uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件包含两个电气隔离的P沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT - 363（SC70 - 6L）封装。该器件非常适合对电路板空间要求苛刻的便携式应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 快速开关
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的环保模塑料（无卤）
应用领域
- 开关电源
- 手持电脑、个人数字助理（PDA）
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