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NTP165N65S3H
1个N沟道 耐压:650V 电流:19A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST 系列有助于最大限度地减少各种电源系统并提高系统效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP165N65S3H
- 商品编号
- C2902081
- 商品封装
- TO-220-3LD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 142W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.6mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.808nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.2pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗
- 低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰（EMI）
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器
- 无人机、物料搬运设备
- 电池管理系统（BMS）/储能、家庭自动化
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