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NTTFS022N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:37.2A
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- 描述
- 特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准。应用：初级DC-DC MOSFET。 DC-DC和AC-DC中的同步整流器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS022N15MC
- 商品编号
- C2902080
- 商品封装
- WDFN-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运-电池管理系统/储能、家庭自动化
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