NTBGS002N06C
N沟道 MOSFET,电流:211A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBGS002N06C
- 商品编号
- C2902077
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 211A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@225uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.31nF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动损耗降至最低
- NVMFS5C420NWF – 可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过AEC - Q101认证，支持生产件批准程序（PPAP）
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
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