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NTMFS006N12MCT1G
N沟道,电流:93A,耐压:120V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS006N12MCT1G
- 商品编号
- C2902074
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.365nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CS9N90 ANHD是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N)，符合RoHS标准。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
- 软体二极管可减少电压振铃
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 电脑电源的功率开关电路
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