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NVTFS4C02NTAG实物图
  • NVTFS4C02NTAG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVTFS4C02NTAG

1个N沟道 耐压:30V 电流:162A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVTFS4C02NTAG
商品编号
C2902060
商品封装
WDFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)162A
导通电阻(RDS(on))3.1mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)107W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)2.98nF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.2nF

商品特性

  • 屏蔽栅MOSFET技术
  • 在VGS = 10 V、ID = 97 A条件下,最大RDS(on) = 5.0 mΩ
  • 反向恢复电荷(Qrr)比其他MOSFET供应商的产品低50%
  • 降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
  • 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIL)测试
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • ATX/服务器/电信电源的同步整流
  • 电机驱动器和不间断电源
  • 微型太阳能逆变器

数据手册PDF