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NVTFS4C02NTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:162A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS4C02NTAG
- 商品编号
- C2902060
- 商品封装
- WDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 162A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- NVTFS4C02NWF - 可焊侧翼选项,便于光学检测
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
-反接电池保护-直流-直流转换器输出驱动
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