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NTMFS1D7N03CGT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:170A
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- 描述
- 特性：宽安全工作区，改善浪涌电流管理。 先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性。 超低导通电阻，提高系统效率。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：热插拔应用。 功率负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS1D7N03CGT1G
- 商品编号
- C2902061
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.74mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@90uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.77nF |
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