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NTMFS0D5N03CT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:464A
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- 描述
- 特性：先进封装 (5x6mm)，具有出色的热传导性。超低的导通电阻RDS(on)，可提高系统效率。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ORing。电机驱动
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D5N03CT1G
- 商品编号
- C2902064
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 464A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.78mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@330uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.54nF |
商品概述
SVF20NE50PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用赛兰半导体专有F-Cell™结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条纹单元和改进的保护环终端经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 20A、500V，RDS(on)（典型值）= 0.18 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- AC-DC电源
- DC-DC转换器
- H桥PWM电机驱动器