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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFS4D2N10MDT1G

N通道,电流:113A,耐压:100V

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS4D2N10MDT1G
商品编号
C2902067
商品封装
DFN-5(5.1x6.1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)113A
导通电阻(RDS(on))7.1mΩ@6V
耗散功率(Pd)132W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)40nC
输入电容(Ciss)3.1nF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)800pF

商品概述

40N20采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 屏蔽栅MOSFET技术
  • 低 RDS(on) ,以最小化传导损耗
  • 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
  • 低QRR,软恢复体二极管
  • 低 QOSS ,以提高轻载效率
  • 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍,且符合RoHS标准

应用领域

  • 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
  • 直流-直流和交流-直流中的同步整流(SR)
  • 交流-直流适配器(USB PD)同步整流
  • 负载开关、热插拔和或门开关
  • 无刷直流电机和太阳能逆变器

数据手册PDF