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NTMFS0D6N03CT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:433A
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- 描述
- 特性：先进封装（5x6mm），具有出色的热传导性。 超低导通电阻RDS(on)，可提高系统效率。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：或门。 电机驱动
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D6N03CT1G
- 商品编号
- C2902063
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 433A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@280uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.74nF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 31nC（典型值）。
- BVDSS = 60V，ID = 50A
- RDS(on)：22 mΩ（最大值）@VG = 10V
- 经过100%雪崩测试