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NTB5D0N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:139A
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- 描述
- 特性：屏蔽栅MOSFET技术。 最大RDS(ON)=5.0 mΩ，VGS = 10 V，ID = 97 A。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。 降低开关噪声/EMI。 100% UIL测试。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。 电机驱动器和不间断电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB5D0N15MC
- 商品编号
- C2902058
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 139A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@532uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
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