温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTB5D0N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:139A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：屏蔽栅MOSFET技术。 最大RDS(ON)=5.0 mΩ，VGS = 10 V，ID = 97 A。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。 降低开关噪声/EMI。 100% UIL测试。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。 电机驱动器和不间断电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB5D0N15MC
- 商品编号
- C2902058
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 139A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
商品概述
SVT085R5NT/S/L5/KL是一款采用士兰微LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能进行了优化。 该器件广泛应用于不间断电源和逆变器系统电源管理领域。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 97 A条件下,最大RDS(on) = 5.0 mΩ
- 反向恢复电荷(Qrr)比其他MOSFET供应商的产品低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIL)测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电机驱动器和不间断电源
- 微型太阳能逆变器
相似推荐
其他推荐