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WST2088A
N沟道 耐压:20V 电流:7.5A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 7.5 VGS(th)(v) 0.63 RDS(ON)(m?)@4.63V 10.7 Qg(nC)@4.5V 10 QgS(nC) 1.6 Qgd(nC) 3.4 Ciss(pF) 590 Coss(pF) 125 Crss(pF) 90
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2088A
- 商品编号
- C2880465
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
WST2088A是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WST2088A符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源