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WSD80120DN56
N沟道 耐压:85V 电流:120A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 85 VGS(V) 25 ID(A)Max. 120 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.218V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 17 Qgd(nC) 11 Ciss(pF) 3750 Coss(pF) 395 Crss(pF) 180
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD80120DN56
- 商品编号
- C2880467
- 商品封装
- DFN5X6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品概述
WSD2090DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD2090DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 开关-电源系统-负载开关