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WSD2090DN56
1个N沟道 耐压:20V 电流:80A
- 描述
- WSD2090DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD2090DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD2090DN56
- 商品编号
- C2880521
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.102克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.05nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 446pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
这款P沟道增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低压应用，如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路，并且在超小外形的表面贴装封装中需要较低的线路功率损耗。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证EAS
- 有环保型产品
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关