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WSF35P06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSF35P06

1个P沟道 耐压:60V 电流:13.5A

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描述
WSF35P06是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSF35P06符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,且具备完整功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSF35P06
商品编号
C2880530
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.372克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)13.5A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
耗散功率(Pd)31.3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.137nF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)76pF

商品概述

WSP6044是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。

商品特性

  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 开关电源(SMPS)同步整流
  • DC-DC转换
  • 负载开关

数据手册PDF