WSF38P10
P沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -100 VGS(V) 20 ID(A)Max. -30 VGS(th)(v) -1.7 RDS(ON)(m?)@4.432V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 9 Qgd(nC) 6 Ciss(pF) 3029 Coss(pF) 129 Crss(pF) 76
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF38P10
- 商品编号
- C2880532
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.029nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 129pF |
商品概述
WSD50P10ADN56是高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSD50P10ADN56符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于主板(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
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