1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 1+: ¥3.42 ¥3.8
- 10+: ¥2.898 ¥3.22
- 30+: ¥2.637 ¥2.93
- 100+: ¥2.385 ¥2.65
- 500+: ¥2.349 ¥2.61
- 1000+: ¥2.268 ¥2.52 (折合1圆盘12600元)
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¥2.349 ¥2.61 |
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¥2.268 ¥2.52 (折合1圆盘12600元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
功率(Pd) | 54W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 78mΩ@10V,10A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 44nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.029nF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 76pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |