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WSD50P10ADN56
P沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -100 VGS(V) 20 ID(A)Max. -40 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.244V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 9 Qgd(nC) 18 Ciss(pF) 2590 Coss(pF) 320 Crss(pF) 45
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD50P10ADN56
- 商品编号
- C2880524
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 81mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
WSD2018ADN22是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WSD2018ADN22符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步开关，适用于主板（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）和显卡（VGA）的小功率开关应用
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关