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WSP4409A
1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- WSP4409A是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSP4409A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全面的可靠性测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4409A
- 商品编号
- C2880527
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 645pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 635pF |
商品概述
WMOS™ C4 是威兆（Wayon）的第四代超结 MOSFET 产品系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS™ C4 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 最大结温（Tj）下，VDS = 700 V
- 典型 RDS(on) = 0.65 Ω
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 无铅镀层，无卤素
应用领域
- LED 照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑（PC）
- 液晶电视（LCD TV）
- 服务器