温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSF50N10G
N沟道 耐压:100V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 40 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.394V 17.4 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 2.8 Qgd(nC) 4.1 Ciss(pF) 1003.9 Coss(pF) 185.4 Crss(pF) 9.8
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF50N10G
- 商品编号
- C2880528
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.502克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.0039nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185.4pF |
商品概述
CSD86350Q5D NexFET功率模块是专为同步降压应用优化设计的产品，在5mm×6mm的小尺寸封装内，具备大电流、高效率和高频工作能力。该产品针对5V栅极驱动应用进行了优化，与外部控制器/驱动器提供的任何5V栅极驱动配合使用时，可灵活实现高密度电源解决方案。
商品特性
- 半桥功率模块
- 25A电流下系统效率达90%
- 最高可支持40A工作电流
- 高频工作能力（最高1.5MHz）
- 高密度SON 5mm×6mm封装
- 针对5V栅极驱动优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 无铅引脚镀层
应用领域
- 同步降压转换器
- 高频应用
- 大电流、低占空比应用
- 多相同步降压转换器
- 负载点（POL）DC-DC转换器
- IMVP、VRM和VRD应用