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WSF50P04
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- WSF50P04是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF50P04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF50P04
- 商品编号
- C2880529
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
WMOSTM M3是第三代800V超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTM M3适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板(MB)/笔记本电脑(NB)/超便携个人电脑(UMPC)/视频图形阵列(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 负载开关