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WSD45P10DN56
1个P沟道 耐压:100V 电流:27.5A 停产
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- 描述
- WSF45P10DN56采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD45P10DN56
- 商品编号
- C2880522
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 91mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.59nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
~~- 坚固可靠-表面贴装封装-高功率和高电流处理能力-超高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤