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WSD2018BDN22
N沟道 耐压:12V 电流:12.3A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 12 VGS(V) 8 ID(A)Max. 12.3 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.132V 8.6 Qg(nC)@4.5V 8.5 QgS(nC) 1.5 Qgd(nC) 2.2 Ciss(pF) 850 Coss(pF) 180 Crss(pF) 95
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD2018BDN22
- 商品编号
- C2880468
- 商品封装
- DFNWB-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 紧凑封装，适用于高密度安装
- 低导通电阻：Ron = 3.0 Ω（最大值）（@VGS = 4 V）
- Ron = 4.0 Ω（最大值）（@VGS = 2.5 V）
- Ron = 15 Ω（最大值）（@VGS = 1.5 V）
应用领域
- 高速开关应用
- 模拟开关应用