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WSD1614DN106
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
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- 描述
- WSD1614DN106采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适合用作电池保护或用于其他开关应用。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD1614DN106
- 商品编号
- C2880520
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 455mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 采用超高密度单元沟槽设计，实现低导通电阻RDS(on)。
- 提供环保器件
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证耐雪崩能力
- 极低的栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力