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WSD2018ADN22
1个N沟道 耐压:20V 电流:11A
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- 描述
- WSD2018ADN22是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSD2018ADN22符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD2018ADN22
- 商品编号
- C2880469
- 商品封装
- DFNWB-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.177nF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 157pF |
商品概述
WSF35P06是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF35P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 无刷电机-负载开关-不间断电源