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WSG02P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 这款P沟道增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低压应用，如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路，且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSG02P06
- 商品编号
- C2880466
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.277克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 364pF@48V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品概述
WST2088是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST2088符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源