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CSD17576Q5BT
1个N沟道 耐压:30V 电流:184A
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- 描述
- CSD17576Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17576Q5BT
- 商品编号
- C2876547
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1243克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 184A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 506pF |
商品概述
这款 30V、1.7mΩ、SON 5 x 6mm NexFET 功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。
商品特性
- 低 Qg 和 Qgd 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层符合 RoHS 标准无卤素 SON 5mm×6mm 塑料封装
应用领域
- 用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 已针对同步 FET 应用进行优化
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个250个/圆盘
总价金额：
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