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CSD22204WT
1个P沟道 耐压:8V 电流:5A
- 描述
- CSD22204W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD22204WT
- 商品编号
- C2879458
- 商品封装
- DSBGA-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
商品概述
这款25 V、4.2 mΩ、3.3 mm × 3.3 mm SON功率MOSFET专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤
- SON 3.3 mm × 3.3 mm塑料封装
应用领域
- 用于网络、电信和计算机系统应用的负载点同步降压转换器
- 针对控制或同步FET应用进行优化
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